특허명:반도체 소자 배선용 구리 박막의 증착속도를 높이기 위한 전처리 세정방법 특허번호: 0352661특허권자: 본인 취득국가: 한국 등록일: 2002.08.
특허명:오피씨드럼과 오피씨드럼의 디엘씨코팅장치 및 디엘씨코팅방법 특허번호: 10-0337656특허권자: 본인 취득국가: 한국 등록일: 2002.05.
특허명:반도체 표면의 철 오염 물질을 제거하는 방법 특허번호: 0324902특허권자: 본인 취득국가: 한국 등록일: 2002.02.
특허명: Methods of forming niobium-near noble metal contact structures for integrated circuits 특허번호: 6150249특허권자: Samsung Electronics 취득국가: 미국 등록일: 2000.11.21
특허명: 실리콘 기판 표면위의 금속 오염물 제거방법특허번호: 2000-0010388특허권자: 한국전자통신연구원취득국가: 대한민국등록일 :2000.09.09
특허명: 반도체 소자 배선용 구리 박막의 증착속도를 높이기 위한 전처리 세정방법특허번호: 10-2000-000615특허권자: 인하학원 취득국가: 한국등록일: 2000.02.02
특허명: 반도체 표면의 철요염 물질을 제거하는 방법특허번호: 2000-3069특허권자: 인하학원 취득국가: 한국등록일: 2000.01.01
특허명: DLC막의 코팅에 의한 장수명의 레이저 프린터용 OPC 드럼 개발특허번호: 99-57199특허권자: 정보통신연구진흥원취득국가: 한국등록일; 1999.12.12
특허명: 이중층 실리사이드의 형성방법 및 정합 실리사이드를 구비하는 MOS 트랜지스터 형성방법특허번호: 1999-0041770특허권자: 삼성전자 주식회사취득국가: 한국등록일: 1999.06.15
특허명: 코발트/니오븀 이중금속층 구조를 이용한 실리사이드 형성방법특허번호: 1999-0034856특허권자: 삼성전자 주식회사취득국가: 기타 한국등록일: 1999.05.15
특허명: 리모트 수소 플라즈마를 이용한 Si 표면의 금속오염의 제거특허번호: 1998-050972특허권자: 인하대학교 취득국가: 한국등록일: 1998.09.15
특허명: Silicide formation method using a Co/Nb bilayer structure특허번호: P 1997-056565특허권자: 삼성전자 주식회사취득국가: 미국 등록일: 1997.10.10
특허명: UV/O3 + 리모트 수소 플라즈마 2단계 세정법을 이용한 Si 표면의 Cu 오염 제거특허번호: 971042특허권자: 인하대학교 취득국가: 한국등록일: 1997.08.08
특허번호: 0352661