professor

Professor

		이 종 무(李鍾武) 교수 Chongmu Lee e-mail : cmlee@inha.ac.kr Tel : 032-860-7536 Fax : 032-862-5546

학 력	- 1974 - 1976 - 1984	서울대학교 학사(금속공학과) 한국과학기술원(KAIST) 석사(재료공학) 미국, Stanford Univ. 박사(재료공학)
경력 및 활동상황	- 1976∼1981 - 1984∼1984 - 1984∼1988 - 1984∼1987 - 1987∼1988 - 1989∼현재 - 1985∼1986 - 1999∼2000 - 2001∼2005 - 2002∼2005.1 - 2005 ∼현재 - 2006∼현재	영남대학교 조교수 삼성반도체통신(주)연구원 인하대학교 부교수 삼성전자(SST) 기술자문역 미국, Stanford Univ. 객원교수 삼성전자 미국현지법인(SSI) Consultant 인하대학교 교수 한국재료학회 총무이사 한국과학재단 재료분야 전문분과위원 한국재료학회 재무이사 인하대학교 소재연구소장 한국재료학회 총무이사 인하대학교 산업과학기술연구소장 산학연 인천지역 협의회장 한국재료학회 부회장 나노하이테크센터장
소속학회	EMRS, MRS, 대한금속학회, 대한전자공학회, 한국물리학회, 한국요업학회, 한국재료학회, 한국전기 전자재료학회, 한국진공학회

주요 연구 업적
논문	-Jongmin Lim, Hyunah Park, Chongmu Lee, 'Enhancement of Ru nucleation by pretreatments of the underlying TaSiN film surface in Ru MOCVD", Thin Solid Films 475 (2005) pp. 194-197. -Dukryel Kwon, Hyunah Park, Chongmu Lee, "Electromigration resistance-related microstructural change with rapid thermal annealing of electroplated copper films", Thin Solid Films 475 (2005) pp. 58-62. -Chongmu Lee, Jongmin Lim, "Dependence of the electrical properties of the ZnO thin films grown by ALE on the reactant feed sequence", J. Vac. Sci. Technol. A24 (2006). -Choongmo Kim, Anna Park, Chongmu Lee, "Physical and electronic properties of ZnO:Al/Porous silicon", Mat. Res. Rull. 41, 253 (2006). 외 296편
저서	- 금속 및 유전체 박막, , 1996. - 반도체 공정기술, , 1994. - 반도체 실무 간부 과정, , 1993. - 공정 기술 이론, , 1990. - Submicron소자 제조를 위한 공정기술(Ⅰ), , 1987. - Submicron소자 제조를 위한 공정기술(Ⅱ), , 1987.
발명특허	- 마그네트론 스퍼터링법을 이용한 금속이 도핑된 ZnO 박막의 제조방법, 2005 - 원자층 증착법에 의한 p형 산화아연 박막의 제조 방법, 2005 - 산화아연 박막의 후열처리 공정에서의 분위기 제어 방법, 2005
수상	- 1992 한국전기전자재료학회 논문상 - 1994 한국재료학회 학술상 - 1999 인하공대 학술상 - 2001 인하대학교 우수연구대상 - 2001 중소기업 기술혁신 대전 - 대통령 훈장 (근정포장)수상 - 2002 제12회 과학기술우수논문상 - 2004 인하연구대상 - 2005 인하펠로우교수(IFP)